SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발현 최고 용량인 24GB 제품 개발해 검증,, D램 시장 주도권 가속
SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB 용량의 신제품을 개발해 고객사로부터 제품 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다.
이는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공한 케이스다.
지금까지 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB가 최대 였다.
하지만 이번에 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 개발해 시장 주도권을 가속화하고 있다.
홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며, “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.
한편 SK하이닉스가 지난 2013년 세계 최초 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계 주목을 받아왔다.
특히 최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받아 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있는 것으로 회사측은 설명했다.
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